Поделиться  Фэйсбук Твиттер В контакте
Учёные и изобретатели России

Иоффе
Абрам Федорович

17 октября 1880 — 14 октября 1960
Физика
всего голосов
82
  • Измерил заряд электрона.
  • Обнаружил и измерил магнитное поле катодных лучей.
  • Открыл внутренний фотоэффект кристаллов.
  • Объяснил величины реальной прочности кристаллов («эффект Иоффе»).
  • Открыл эффект прерывистой деформации кристаллов, сопровождаемой акустической эмиссией.
  • Создал теоретические основы применения термоэлементов в «малой энергетике».
  • Создал теорию туннельного выпрямления на границе металл-полупроводник.
  • Исследовал электропроводность полупроводников в сильных и слабых полях.
  • Организовал при Политехническом институте в Ленинграде новый физико-технический отдел.
  • В 1905 году в своей докторской диссертации решил задачу упругого последействия в кристаллах, установив, что характер разрушения кристаллов при данной температуре определяется соотношением между пределом текучести и пределом прочности.
  • Решил задачу об электрических аномалиях кварца, показав, что они связаны с образованием объемных зарядов внутри кварца.
  • Показал сильное влияние незначительных примесей на электропроводность диэлектриков.
  • Разработал методы очистки кристаллов.
  • Создал новые электротехнические материалы. Разработал методы устранения перенапряжений в кристаллах.
  • В 1916 году экспериментально доказал существование ионной проводимости в кристаллах.
  • В 1918 году Иоффе разработал план создания физико-технического отдела будущего Государственного рентгенологического и радиологического института.
  • В 1921 году создал из физико-технического отдела института самостоятельный Государственный физико-технический институт (ФТИ) и стал его первым директором. Оставался на этом посту более 30 лет, развивая свою научную и образовательную школу.
  • В 1950 году Иоффе разработал теорию, на основе которой были сформулированы требования к полупроводниковым материалам, используемым в термобатареях и обеспечивающим получение максимального значения их КПД.
  • В 1952—1955 годах возглавлял лабораторию полупроводников АН СССР, а в 1954 году на базе лаборатории создал Институт полупроводников АН СССР.

Рассказать друзьям:


Эксперты

Чечихин Юрий Валерьевич

генеральный директор ОАО «ИЗВЕСТИЯ».

Салтыков Борис Георгиевич

Директор Политехнического Музея г.Москвы

Хохлов Алексей Ремович

Проректор МГУ по направлению: инновации, информатизация и международные научные связи.

Суетин Николай Владиславович

Руководитель работ по развитию новых R&D проектов в России и СНГ